光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
采用固态源分子束外延技术在GaAs（100）衬底上，制备了InAs量子点，对样品进行原子力显微镜测试，统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明，在室温和77K下，小量子点的发光峰均占主导地位，原因可能是 采用固态源分子束外延技术在GaAs（100）衬底上，制备了InAs量子点，对样品进行原子力显微镜测试，统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明，在室温和77K下，小量子点的发光峰均占主导地位，原因可能是 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:18导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3973.pdf: 449989 bytes, checksum: 6345a62779063d233181debf99fe7b98 (MD5) Previous issue date: 2007 国家自然科学基金项目（6 476 42）,天津市应用基础研究计划重点项目（ 6YFJZJC 11 ）,长江学者创新团队发展计划资助 南开大学泰达应用物理学院;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金项目（6 476 42）,天津市应用基础研究计划重点项目（ 6YFJZJC 11 ）,长江学者创新团队发展计划资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
贾国治;姚江宏;张春玲;舒强;刘如彬;叶小玲;王占国.光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充,光谱学与光谱分析,2007,27(11):2178-2181 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
