AlGaN／GaN背对背肖特基二极管氢气传感器
| Data(s) |
2008
|
|---|---|
| Resumo |
通过溅射的方法制作了Pt／AIGaN／GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应．研究了Pt／AlGaN／GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10％H_2（N_2气中）的响应，计算了器件的灵敏度；并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢；空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用；最后由热电子发射公式计算了器件在通人10％的氢气前后有效势垒高度的变化． 通过溅射的方法制作了Pt／AIGaN／GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应．研究了Pt／AlGaN／GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10％H_2（N_2气中）的响应，计算了器件的灵敏度；并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢；空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用；最后由热电子发射公式计算了器件在通人10％的氢气前后有效势垒高度的变化． 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:11导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3943.pdf: 663701 bytes, checksum: 78be8292506612bfab925db0ebfe27d9 (MD5) Previous issue date: 2008 国家自然科学基金资助项目（批准号;6 576 46） 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金资助项目（批准号;6 576 46） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王新华;王晓亮;冯春;冉军学;肖红领;杨翠柏;王保柱;王军喜.AlGaN／GaN背对背肖特基二极管氢气传感器,半导体学报,2008,29(1):153-156 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
