脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
对MBE生长的InGaAs量子阱（QW）激光器的频率特性进行了研究。研制了InGaAsQW脊波导结构的激光器，通过控制脊的腐蚀深度，得到阈值电流密度为300A／cm~2的激光器，且激光器在常温下工作稳定，输出功率较大，其阈值电流附近3dB带宽超过2GHz。比较了不同电极面积时器件的调制响应，结果表明小面积电极可以有效提高器件的调制带宽。 对MBE生长的InGaAs量子阱（QW）激光器的频率特性进行了研究。研制了InGaAsQW脊波导结构的激光器，通过控制脊的腐蚀深度，得到阈值电流密度为300A／cm~2的激光器，且激光器在常温下工作稳定，输出功率较大，其阈值电流附近3dB带宽超过2GHz。比较了不同电极面积时器件的调制响应，结果表明小面积电极可以有效提高器件的调制带宽。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:10导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3939.pdf: 396046 bytes, checksum: ad4998ec339bd365bb25e2e8bc2c2a5d (MD5) Previous issue date: 2008 山西大同大学;中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙彦;彭红玲;任正伟;贺振宏.脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究,半导体光电,2008,29(1):52-55 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
