具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性
| Data(s) |
2008
|
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| Resumo |
研制成功具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT器件，对源场板、栅场板器件的性能进行了分析．场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电，提高了肖特基反向击穿电压．源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上，肖特基反向漏电由37μA减小到5．7μA，减小了一个量级．肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上．另外，还初步讨论了高频特性． 国家重点基础研究发展计划（批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
魏珂;刘新宇;和致经;吴德馨.具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性,半导体学报,2008,29(3):554-558 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
