键合界面对面发射激光器光与热性质的影响
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
通过界面有效吸收系数的计算及界面对腔模的反射率的影响可知,采用双面键合技术制备面发射激光器应使键合界面处于驻波场分布零点位置,同时界面厚度应该小于20nm以使器件光学性能受界面吸收系数的影响较小.采用有限元方法分析VCSEL温度分布,结果证实薄的键合界面使VCSEL有源区温度对界面的热导率和电导率改变不敏感,而厚的键合界面将可能使有源区温度有较大地升高,给器件带来严重的不良影响.亲水键合和疏水键合的SEM照片说明疏水处理界面较薄,适合用于器件的制备.而亲水处理界面厚度〉40nm,对器件的光、热特性不利. 通过界面有效吸收系数的计算及界面对腔模的反射率的影响可知,采用双面键合技术制备面发射激光器应使键合界面处于驻波场分布零点位置,同时界面厚度应该小于20nm以使器件光学性能受界面吸收系数的影响较小.采用有限元方法分析VCSEL温度分布,结果证实薄的键合界面使VCSEL有源区温度对界面的热导率和电导率改变不敏感,而厚的键合界面将可能使有源区温度有较大地升高,给器件带来严重的不良影响.亲水键合和疏水键合的SEM照片说明疏水处理界面较薄,适合用于器件的制备.而亲水处理界面厚度〉40nm,对器件的光、热特性不利. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:55导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3902.pdf: 493605 bytes, checksum: 024324b03af9e3c7b5ffede628cbbba3 (MD5) Previous issue date: 2008 国家重点基础研究发展规划项目（批准号 中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究发展规划项目（批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
何国荣;郑婉华;渠红伟;杨国华;王青;曹玉莲;陈良惠.键合界面对面发射激光器光与热性质的影响,物理学报,2008,57(3):1840-1845 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
