InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测
| Data(s) |
2008
|
|---|---|
| Resumo |
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统．利用该系统对光．敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管（APDs）进行测试．测试结果表明，该APD器件在90％击穿电压下的暗电流为151nA，在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好．提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流一电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子．通过该方法得到的InGaAs／InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10-100量级． 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统．利用该系统对光．敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管（APDs）进行测试．测试结果表明，该APD器件在90％击穿电压下的暗电流为151nA，在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好．提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流一电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子．通过该方法得到的InGaAs／InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10-100量级． 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:51导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3894.pdf: 1110667 bytes, checksum: affef4410d4d45a5dd393ef48fe84fab (MD5) Previous issue date: 2008 中国科学院半导体研究所;厦门大学物理系 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
肖雪芳;杨国华;归强;王国宏;马晓宇;陈朝;陈良惠.InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测,电子科技大学学报,2008,37(3):460-463 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
