利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
计算了GaN二维光子晶体的能带结构，并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED。经过器件测试表明，与没有制作光子晶体的器件相比，光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1．5倍以上。另外，还对感应耦合等离子体刻蚀（ICP）的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析。 国家自然科学基金资助项目（6 345 8;6 537 1 ;6 377 u）,国家高技术研究发展计划重大资助项目（2 6AA 3A114） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
胡海洋;许兴胜;鲁琳;宋倩;杜伟;王春霞;陈弘达.利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率,光电子·激光,2008,19(5):569-572 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
