A面(11-20)ZnO薄膜中杂质的偏振PL谱研究


Autoria(s): 周立; 陈涌海; 金鹏; 王占国
Data(s)

2008

Resumo

本文通过分析A面(11-20)ZnO薄膜的低温PL(光致发光)光谱偏振特性来研究ZnO光致发光谱中杂质峰的来源.低温(4 K)下观察到476、479 nm两处新的杂质峰以及390 nm处激子峰,根据两个杂质峰的偏振特性,初步判定476nm峰来源于氧空位能级到价带轻空穴的跃迁,479 nm峰来源于氧空位价带重空穴的跃迁.

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16043

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/102060

Idioma(s)

中文

Fonte

周立;陈涌海;金鹏;王占国.A面(11-20)ZnO薄膜中杂质的偏振PL谱研究,光散射学报,2008,20(2):186-189

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文