GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能
| Data(s) |
2008
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| Resumo |
在有效质量近似下,采用微扰法研究了InAs/GaAs量子点内类氢杂质基态及低激发态的束缚能.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,精确地求解了电子的薛定谔方程.数值计算结果表明,类氢杂质基态及低激发态的束缚能敏感地依赖于抛物形势的角频率,受类氢杂质的影响,谱线发生蓝移.这一结果对设计和制备量子点器件是有价值的. 国家自然科学基金资助项目(6 521 1) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郑文礼;李志文;李树深;王雪峰.GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能,大学物理,2008,27(6):26-30 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
