用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布.测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差.实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN 衬底的[110] 和[110]的应变差最大可以达到10~(-5)数量级.蓝宝石衬底的可以达到10~(-6)数量级.因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测. 国家自然科学基金重点资助项目(6 6254 2),国家973计划项目(2 6CB6 49 8) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周振宇;陈涌海.用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布,硅酸盐通报,2008,27(3):580-583 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
