ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响
| Data(s) |
2008
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| Resumo |
首次报道了通过引入ZnAl_2O_4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl_2O_4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl_2O_4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342").用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm. 首次报道了通过引入ZnAl_2O_4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl_2O_4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl_2O_4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342").用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:42导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3852.pdf: 700146 bytes, checksum: 8f48c0ed13c18fb53b2b39383833d439 (MD5) Previous issue date: 2008 中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
何金孝;段垚;王晓峰;崔军朋;曾一平;李晋闽.ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响,半导体学报,2008,29(7):1334-1337 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
