AlGaN/GaN型气敏传感器对于C0的响应研究

研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的C0的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通人1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能.

研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的C0的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通人1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能.

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zhangdi于2010-11-23 13:00:42导入数据到SEMI-IR的IR

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中国科学院知识创新工程(批准号:YYYJ- 7 1- 2),国家自然科学基金(批准号:6 576 46,6 6 6 2),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 2CB3119 3,2 6CB6 49 5,51327 5 5)资助项目

中国科学院半导体研究所

中国科学院知识创新工程(批准号:YYYJ- 7 1- 2),国家自然科学基金(批准号:6 576 46,6 6 6 2),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 2CB3119 3,2 6CB6 49 5,51327 5 5)资助项目