U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制
Data(s) |
2008
|
---|---|
Resumo |
为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器。5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍。文中也对比了具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相对响应光谱的差别,并且比较分析了叉指间隙分别为5μm和10μm器件光电响应的不同。 为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器。5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍。文中也对比了具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相对响应光谱的差别,并且比较分析了叉指间隙分别为5μm和10μm器件光电响应的不同。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:40导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3836.pdf: 473785 bytes, checksum: f9e87ba17f04ad8738e26f1126727a76 (MD5) Previous issue date: 2008 国家自然科学基金资助项目(6 576 1,6 336 1 ,6 676 27),福建省自然科学基金资助项目(A 41 8) 集美大学诚毅学院;厦门大学物理系;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金资助项目(6 576 1,6 336 1 ,6 676 27),福建省自然科学基金资助项目(A 41 8) |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
黄燕华;陈松岩;李成;蔡加法;余金中.U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制,光电子·激光,2008,19(7):869-871 |
Palavras-Chave | #光电子学 |
Tipo |
期刊论文 |