两步合金法制作p-GaN高反电极


Autoria(s): 郭德博; 梁萌; 范曼宁; 刘志强; 王良臣; 王国宏
Data(s)

2008

Resumo

利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地防止Ag的氧化和团聚,短时间的热处理有助于Ag基电极反射率的提高。可靠性测试表明Ag基电极的稳定性较好,对于Al基电极,热处理后反射镜上出现暗斑,导致其反射率的下降。最终获得了波长在460nm处反射率为74%的Ag基高反射电极。

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15991

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/102034

Idioma(s)

中文

Fonte

郭德博;梁萌;范曼宁;刘志强;王良臣;王国宏.两步合金法制作p-GaN高反电极,光电子·激光,2008,19(7):902-904

Palavras-Chave #微电子学
Tipo

期刊论文