铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质
| Data(s) |
2008
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| Resumo |
研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容易获得浓度为10~(18)～10~(19)cm~(-3)的n型ZnO单晶,掺入杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,ZnO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In-ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响. 国家自然科学基金资助项目（批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张璠;赵有文;董志远;张瑞;杨俊.铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质,半导体学报,2008,29(8):1540-1543 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
