GaN基垂直腔面发射激光器的研制
| Data(s) |
2008
|
|---|---|
| Resumo |
作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的激射．首先采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长．然后在表面沉积高反射介质膜分布布拉格反射镜（DBR）．将样品键合到其它支撑片上后，采用激光剥离技术将蓝宝石衬底去除．再在去除蓝宝石后露出的氮化物表面沉积第二组介质膜DBR制成VCSEL．在室温光泵条件下，观察到VCSEL的激射．激射波长449．5nm。阈值6．5mJ／cm~2．激射峰的半高宽小于0．1nm，这些指标达到了国际领先水平．本文为进一步研制实用化氮化物VCSEL奠定了重要的基础． 科技部国家高科技研究发展计划（863计划）资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张保平;蔡丽娥;张江勇;李水清;尚景智;王笃祥;林峰;林科闯;余金中;王启明.GaN基垂直腔面发射激光器的研制,厦门大学学报. 自然科学版,2008,47(5):617-619 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
