以金属为缓冲层在Si（111）上分子束外延GaN及其表征
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
用电子束蒸发方法在Si（111）衬底上蒸发了Au/Cr和Au/Ti/Al/Ti两种金属缓冲层,然后在金属缓冲层上用气源分子束外延（GSMBE）生长GaN.两种缓冲层的表面都比较平整和均匀,都是具有Au（111）面择优取向的立方相Au层.在Au/Cr/Si（111）上MBE生长的GaN,生长结束后出现剥离.在Au/Ti/Al/Ti/Si（111）上无AlN缓冲层直接生长GaN,得到的是多晶GaN;先在800℃生长一层AlN缓冲层,然后在710℃生长GaN,得到的是沿GaN（0001）面择优取向的六方相GaN.将Au/Ti/Al/Ti/Si（111）在800℃下退火20min,金属层收缩为网状结构,并且成为多晶,不再具有Au（111）方向择优取向. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
林郭强;曾一平;王晓亮;刘宏新.以金属为缓冲层在Si（111）上分子束外延GaN及其表征,半导体学报,2008,29(10):1998-2002 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
