基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延
| Data(s) |
2008
|
|---|---|
| Resumo |
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果,分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下量子点和量子环的形成机制以及分布规律. 国家重点基础研究发展规划（批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵暕;陈涌海;王占国;徐波.基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延,半导体学报,2008,29(10):2003-2008 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
