nc-Si／SiN_x超晶格薄膜实现Nd
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
采用射频磁控反应溅射法制备a—Si／SiN。超晶格薄膜材料，热退火后形成纳米Si晶粒。把nc—Si／SiN，薄膜作为饱和吸收体插入Nd 国家自然科学基金（6 678 53）,国家自然科学基金重点（6 336 1 ）,国家重点基础研究发展“973”计划（2 7CB6134 1）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王国立;郭亨群;苏培林;张春华;王启明;徐骏;陈坤基.nc-Si／SiN_x超晶格薄膜实现Nd,发光学报,2008,29(5):905-909 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
