单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备
| Data(s) |
2008
|
|---|---|
| Resumo |
通过优化分子束外延生长条件，得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs／GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率（0．001单层／秒）可以把量子点的密度降低到4×10~6cm~(-2)。这些结果使得InAs／GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中。 中国博士后科学基金资助项目（No.2 6 39 385） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
方志丹;崔碧峰;黄社松;倪海桥;邢艳辉;牛智川.单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备,功能材料与器件学报,2008,14(5):915-918 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
