InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计


Autoria(s): 曹延名; 吴孟; 杨富华
Data(s)

2008

Resumo

设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计,省略了保护环等结构;并使用双层掺杂,有效降低了增益区电场的梯度变化。由于结构简单,因此仅需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可。由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的差异,因此器件具有较低的噪声因子。

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15897

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/101987

Idioma(s)

中文

Fonte

曹延名;吴孟;杨富华.InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计,激光与光电子学进展,2008,45(9):56-60

Palavras-Chave #微电子学
Tipo

期刊论文