InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计
Data(s) |
2008
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Resumo |
设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计,省略了保护环等结构;并使用双层掺杂,有效降低了增益区电场的梯度变化。由于结构简单,因此仅需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可。由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的差异,因此器件具有较低的噪声因子。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
曹延名;吴孟;杨富华.InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计,激光与光电子学进展,2008,45(9):56-60 |
Palavras-Chave | #微电子学 |
Tipo |
期刊论文 |