Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性


Autoria(s): 申继伟; 郭亨群; 吕蓬; 徐骏; 陈坤基; 王启明
Data(s)

2008

Resumo

采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiN;超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据得到材料的三阶非线性极化率实部和虚部分别为1.27×10~(-7),1.51×10~(-8)esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大5个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强。

国家自然科学基金(6 678 53),国家自然科学基金重点(6 336 1 ),国家重点基础研究发展“973”计划(2 7CB6134 1)资助项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15891

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/101984

Idioma(s)

中文

Fonte

申继伟;郭亨群;吕蓬;徐骏;陈坤基;王启明.Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性,发光学报,2008,29(6):1045-1049

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文