8×8重排无阻塞型SOI热光波导开关阵列


Autoria(s): 陈媛媛; 余金中
Data(s)

2009

Resumo

设计并制作了一种重排无阻塞型的8×8 SOI热光波导开关阵列。开关单元采用了MM I-MZI结构的2×2光开关。整个器件的开关时间约为2μs。器件中开关单元功耗小于240mW。消光比在17~22dB范围内变化。功耗和开关速度都明显优于SiO2基和聚合物基的开关阵列。

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15873

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/101975

Idioma(s)

中文

Fonte

陈媛媛;余金中.8×8重排无阻塞型SOI热光波导开关阵列,激光与红外,2009,39(1):46-49

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文