基于SOI硅片的硅微电极制作与评估
Data(s) |
2008
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Resumo |
采用微机电系统(MEMS)工艺方法制作了基于SOI衬底的七通道硅微电极,用于视神经视觉修复.通过噪声分析确定了硅微电极的金属暴露位点的几何尺寸.优化设计了硅微电极的几何结构,以便于减小植入损伤.阻抗测试结果表明,当测试电压为50mVpp时,1kHz频率下,微电极的单通道阻抗为2.3MQ,适用于神经电信号记录.在体实验结果表明,动物初级视皮层记录到的神经电信号幅度为8μV. 采用微机电系统(MEMS)工艺方法制作了基于SOI衬底的七通道硅微电极,用于视神经视觉修复.通过噪声分析确定了硅微电极的金属暴露位点的几何尺寸.优化设计了硅微电极的几何结构,以便于减小植入损伤.阻抗测试结果表明,当测试电压为50mVpp时,1kHz频率下,微电极的单通道阻抗为2.3MQ,适用于神经电信号记录.在体实验结果表明,动物初级视皮层记录到的神经电信号幅度为8μV. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:20导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3757.pdf: 629274 bytes, checksum: 95b1dc3e52fdfd2c36ae056a1a972be4 (MD5) Previous issue date: 2008 国家自然科学基金 上海交通大学生物医学工程系,激光与光子生物医学研究所;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
隋晓红;陈弘达.基于SOI硅片的硅微电极制作与评估,半导体学报,2008,29(11):2169-2174 |
Palavras-Chave | #光电子学 |
Tipo |
期刊论文 |