基于SOI硅片的硅微电极制作与评估


Autoria(s): 隋晓红; 陈弘达
Data(s)

2008

Resumo

采用微机电系统(MEMS)工艺方法制作了基于SOI衬底的七通道硅微电极,用于视神经视觉修复.通过噪声分析确定了硅微电极的金属暴露位点的几何尺寸.优化设计了硅微电极的几何结构,以便于减小植入损伤.阻抗测试结果表明,当测试电压为50mVpp时,1kHz频率下,微电极的单通道阻抗为2.3MQ,适用于神经电信号记录.在体实验结果表明,动物初级视皮层记录到的神经电信号幅度为8μV.

采用微机电系统(MEMS)工艺方法制作了基于SOI衬底的七通道硅微电极,用于视神经视觉修复.通过噪声分析确定了硅微电极的金属暴露位点的几何尺寸.优化设计了硅微电极的几何结构,以便于减小植入损伤.阻抗测试结果表明,当测试电压为50mVpp时,1kHz频率下,微电极的单通道阻抗为2.3MQ,适用于神经电信号记录.在体实验结果表明,动物初级视皮层记录到的神经电信号幅度为8μV.

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国家自然科学基金

上海交通大学生物医学工程系,激光与光子生物医学研究所;中国科学院半导体研究所

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15865

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/101971

Idioma(s)

中文

Fonte

隋晓红;陈弘达.基于SOI硅片的硅微电极制作与评估,半导体学报,2008,29(11):2169-2174

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文