与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究
Data(s) |
2009
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Resumo |
硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景.文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍. 硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景.文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:12导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3737.pdf: 331673 bytes, checksum: d5d8c7de6ecb5b048f293dfdd44d051e (MD5) Previous issue date: 2009 国家自然科学基金,国家自然科学基金重点项目,国家重点基础研究发展规划(973计划) 中国科学院,半导体研究所 国家自然科学基金,国家自然科学基金重点项目,国家重点基础研究发展规划(973计划) |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
曾凡平;韩培德;高利朋;冉启江;毛雪;赵春华;米艳红.与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究,光通信技术,2009,33(5):38-40 |
Palavras-Chave | #光电子学 |
Tipo |
期刊论文 |