与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究


Autoria(s): 曾凡平; 韩培德; 高利朋; 冉启江; 毛雪; 赵春华; 米艳红
Data(s)

2009

Resumo

硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景.文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍.

硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景.文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍.

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国家自然科学基金,国家自然科学基金重点项目,国家重点基础研究发展规划(973计划)

中国科学院,半导体研究所

国家自然科学基金,国家自然科学基金重点项目,国家重点基础研究发展规划(973计划)

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15825

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/101951

Idioma(s)

中文

Fonte

曾凡平;韩培德;高利朋;冉启江;毛雪;赵春华;米艳红.与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究,光通信技术,2009,33(5):38-40

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文