p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究
| Data(s) |
2009
|
|---|---|
| Resumo |
对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm~(-1),与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义. 对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm~(-1),与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:10导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3732.pdf: 498463 bytes, checksum: 4a84a5701a88a4e9203e34e422d569b1 (MD5) Previous issue date: 2009 国家高技术研究发展计划(863),中国科学院"百人计划",国家自然科学基金 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 国家高技术研究发展计划(863),中国科学院"百人计划",国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
季海铭;曹玉莲;杨涛;马文全;曹青;陈良惠.p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究,物理学报,2009,58(3):1896-1900 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
