低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源
| Data(s) |
2009
|
|---|---|
| Resumo |
设计了一种用于驱动电路和模数转换器的片上电流源,该结构利用带隙基准的方法产生了一个与温度无关的参考电平,同时为了满足高电源抑制的要求,电流源中采用了运算放大器的负反馈环路来抑制电源到输出的增益,从而使输出电平与电源电压无关,然后通过电阻把电压转化为电流.该电路在0.35,μm、3.3 V的工艺下实现,芯片面积为0.03 mm~2.仿真和测试结果表明,该电流源的温度系数为8.7×10~(-6)/℃,在2.6～4 V的电源电压下均能正常工作,达到了系统要求. 中国科学院百人计划基金支持项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
朱从义;张耀辉;石寅.低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源,半导体技术,2009,34(6):586-589 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
