Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响
| Data(s) |
2009
|
|---|---|
| Resumo |
利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和Ⅰ-Ⅴ测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异.样品在室温下的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag/ZnO接触性能有重要影响.在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触,电极生长温度低于150℃和高于200℃的样品Ag与ZnO均为欧姆接触.经过分析,肖特基接触的形成依赖于在Ag与ZnO接触界面处形成的p型反型层. 利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和Ⅰ-Ⅴ测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异.样品在室温下的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag/ZnO接触性能有重要影响.在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触,电极生长温度低于150℃和高于200℃的样品Ag与ZnO均为欧姆接触.经过分析,肖特基接触的形成依赖于在Ag与ZnO接触界面处形成的p型反型层. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:07导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3724.pdf: 4246686 bytes, checksum: 5cde3df14322d60603e92e2e19a52d76 (MD5) Previous issue date: 2009 曲阜师范大学物理工程学院;中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李新坤;李清山;梁德春;徐言东;谢小军.Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响,中国科学. E辑，技术科学,2009,39(7):1269-1274 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
