Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光
| Data(s) |
2009
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|---|---|
| Resumo |
由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si_(1-x) Ge_x虚衬底上外延应变补偿的Si/S_(1-y) Ge_y(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性. 由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si_(1-x) Ge_x虚衬底上外延应变补偿的Si/S_(1-y) Ge_y(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:07导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3722.pdf: 366571 bytes, checksum: 8d4569becbe4bd723b6fb27391f3472c (MD5) Previous issue date: 2009 国家重点基础研究发展计划资助项目,国家自然科学基金赍助项目 厦门大学物理系;中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究发展计划资助项目,国家自然科学基金赍助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
廖凌宏;周志文;李成;陈松岩;赖虹凯;余金中;王启明.Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光,材料科学与工程学报,2009,27(1):146-149 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
