带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器
| Data(s) |
2009
|
|---|---|
| Resumo |
在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收,防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD),是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二次外延生长了大功率657 nm红光半导体激光器结构,通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口.实验发现扩散温度550 ℃,扩散时间20 min时,得到的非吸收窗口最为有效,激光器连续工作的无扭折输出功率大于100 mW,超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍,激光器的斜率效率提高了23%.测量该类器件的温度特性发现,环境温度为20～70 ℃时,其输出功率均可大于50 mW,计算得到激光器的特征温度约为89 K,波长增加率约为0.24 nm/℃. 在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收,防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD),是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二次外延生长了大功率657 nm红光半导体激光器结构,通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口.实验发现扩散温度550 ℃,扩散时间20 min时,得到的非吸收窗口最为有效,激光器连续工作的无扭折输出功率大于100 mW,超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍,激光器的斜率效率提高了23%.测量该类器件的温度特性发现,环境温度为20～70 ℃时,其输出功率均可大于50 mW,计算得到激光器的特征温度约为89 K,波长增加率约为0.24 nm/℃. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:05导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3712.pdf: 661712 bytes, checksum: 7c8c2ddb0961b23d587c769cd4b69559 (MD5) Previous issue date: 2009 中国博士后科学基金 西安理工大学电子工程系;西北大学物理系;中国科学院半导体研究所 中国博士后科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
林涛;段玉鹏;郑凯;崇峰;马骁宇.带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器,中国激光,2009,36(1):104-109 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
