PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜
| Data(s) |
2009
|
|---|---|
| Resumo |
采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了Zno薄膜.通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射.XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向.利用-低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜.与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV).对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600～650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量. 采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了Zno薄膜.通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射.XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向.利用-低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜.与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV).对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600～650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:05导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3710.pdf: 489460 bytes, checksum: b1f19c7bad86fcc20c35e836decb3b0a (MD5) Previous issue date: 2009 国家自然科学基金,辽宁省教育厅重点实验室资助项目 大连理工大学,物理与光电工程学院;中国科学院半导体研究所材料科学中心 国家自然科学基金,辽宁省教育厅重点实验室资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵杰;胡礼中;王维维.PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜,功能材料,2009,40(6):956-958 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
