量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性
| Data(s) |
2009
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| Resumo |
通过测量1.55 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系,以及模拟能带结构、电场分布等特性,研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.分析了光电流的产生机制,测量了1.064 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应,模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应.从实验和模拟两方面证明了量子阱的势垒高度是影响量子阱共振腔增强型光电探测器高功率特性的最主要因素. 通过测量1.55 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系,以及模拟能带结构、电场分布等特性,研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.分析了光电流的产生机制,测量了1.064 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应,模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应.从实验和模拟两方面证明了量子阱的势垒高度是影响量子阱共振腔增强型光电探测器高功率特性的最主要因素. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:00:04导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3707.pdf: 781535 bytes, checksum: f2838e3e626758e7c5e221114e8b5290 (MD5) Previous issue date: 2009 中国高技术研究与发展计划,中国重点基础研究发展计划 中国科学院半导体研究所 中国高技术研究与发展计划,中国重点基础研究发展计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
朱彬;韩勤;杨晓红.量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性,光子学报,2009,38(5):1074-1079 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
