Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响
| Data(s) |
2009
|
|---|---|
| Resumo |
在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O_2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌.结果显示无表面处理时接触电阻最小,且溶剂处理后残留的电解质会影响电极的电流特性和稳定性.用俄歇电子能谱(AES)测试不同元素随深度分布情况,发现高温退火过程中NiO的形成有自动清洁p-GaN表面的作用,因此对于Ni基电极前表面处理不是必需的.再将样品用10%草酸溶液处理,其I-V特性显示接触电阻率明显下降;X射线光电子能谱(XPS)测试显示草酸溶液处理后电极表面Ni含量显著减少,而Au元素信号峰增强,说明表面高阻P型NiO被有效除去,对改善接触性能具有实际意义. 在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O_2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌.结果显示无表面处理时接触电阻最小,且溶剂处理后残留的电解质会影响电极的电流特性和稳定性.用俄歇电子能谱(AES)测试不同元素随深度分布情况,发现高温退火过程中NiO的形成有自动清洁p-GaN表面的作用,因此对于Ni基电极前表面处理不是必需的.再将样品用10%草酸溶液处理,其I-V特性显示接触电阻率明显下降;X射线光电子能谱(XPS)测试显示草酸溶液处理后电极表面Ni含量显著减少,而Au元素信号峰增强,说明表面高阻P型NiO被有效除去,对改善接触性能具有实际意义. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 12:59:57导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T04:59:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3675.pdf: 625496 bytes, checksum: cc90172b0bb59f43c99e43af4e457824 (MD5) Previous issue date: 2009 中国科学院知识创新工程重要方向项目 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 中国科学院知识创新工程重要方向项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
林孟喆;曹青;颜廷静;陈良惠.Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响,半导体光电,2009,30(4):541-545 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
