穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
| Data(s) |
2009
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| Resumo |
研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN,n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触.有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加. 研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN,n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触.有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 12:59:40导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T04:59:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3629.pdf: 613161 bytes, checksum: af6efc4f76eb8513a10dab2926ac202c (MD5) Previous issue date: 2009 国家自然科学基金 中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所国家重点联合实验室 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张爽;赵德刚;刘宗顺;朱建军;张书明;王玉田;段俐宏;刘文宝;江德生;杨辉.穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响,物理学报,2009,58(11):7952-7957 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
