Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析
| Data(s) |
2009
|
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| Resumo |
采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与Si衬底厚度和背面氧化层厚度的关系进行了系统的分析;在此基础上,应用全矢量有限差分束传播法(FD-BPM) 对应力光波导的双折射进行了分析.结果表明随着Si衬底厚度的减薄,波导附近水平方向和垂直方向所受应力趋于一致,双折射系数B可小于10~(-4);Si衬底背面氧化层的存在使双折射系数略有增大,但随氧化层厚度的增加可减缓其增加量. 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨淑英;安俊明.Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析,内蒙古大学学报. 自然科学版,2009,40(6):650-654 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
