InAs量子环中类氢杂质能级
| Data(s) |
2009
|
|---|---|
| Resumo |
在有效质量近似下,利用微扰法研究了InAs量子环内类氢杂质基态及低激发态的能级分布.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,用薛定谔方程的精确解析解进行计算.数值计算结果显示,电子能级敏感地依赖于量子环半径,能级存在极小值,这是由于限制势采用抛物势的结果.如果减小环的半径,可以增加能级间距.第一激发态类氢杂质能级的简并没有消除,n≥2时简并的能级发生分裂并且间距随半径的增大而增大.电子能级间距还敏感地依赖于角频率并随角频率的增大而增大.第一激发态的简并没有消除,第二激发态的简并被部分地消除.在计算InAs量子环中类氢杂质的基态和低激发态的能级时,角频率改变的影响也是很深刻的.文章结果对研究量子环的光跃迁及光谱结构有重要指导意义. 在有效质量近似下,利用微扰法研究了InAs量子环内类氢杂质基态及低激发态的能级分布.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,用薛定谔方程的精确解析解进行计算.数值计算结果显示,电子能级敏感地依赖于量子环半径,能级存在极小值,这是由于限制势采用抛物势的结果.如果减小环的半径,可以增加能级间距.第一激发态类氢杂质能级的简并没有消除,n≥2时简并的能级发生分裂并且间距随半径的增大而增大.电子能级间距还敏感地依赖于角频率并随角频率的增大而增大.第一激发态的简并没有消除,第二激发态的简并被部分地消除.在计算InAs量子环中类氢杂质的基态和低激发态的能级时,角频率改变的影响也是很深刻的.文章结果对研究量子环的光跃迁及光谱结构有重要指导意义. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 12:59:36导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T04:59:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3612.pdf: 467338 bytes, checksum: e8179b8e931a69e9ace9ca07b930ab3f (MD5) Previous issue date: 2009 国家自然科学基金 承德民族师范高等专科学校物理系;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郑文礼;李志文;王雪峰.InAs量子环中类氢杂质能级,光谱学与光谱分析,2009,29(3):607-610 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
