InAs 单量子点精细结构光谱
| Data(s) |
2009
|
|---|---|
| Resumo |
在5 K下,采用光致发光光谱和时间分辨光谱研究了不同单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、单激子/双激子发光光谱和相应发光动力学.给出InAs单量子点发光光谱所对应能级的精细结构及激子本征态的偏振特性.当精细结构能级劈裂为零时, 激子的本征态为简并的圆偏振态.而当精细结构能级劈裂大于零时,一般在几十到几百μeV,激子的本征态为非简并的线偏振态.相对于单激子发光寿命,激子-激子间的散射使单激子的复合发光寿命减小. 在5 K下,采用光致发光光谱和时间分辨光谱研究了不同单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、单激子/双激子发光光谱和相应发光动力学.给出InAs单量子点发光光谱所对应能级的精细结构及激子本征态的偏振特性.当精细结构能级劈裂为零时, 激子的本征态为简并的圆偏振态.而当精细结构能级劈裂大于零时,一般在几十到几百μeV,激子的本征态为非简并的线偏振态.相对于单激子发光寿命,激子-激子间的散射使单激子的复合发光寿命减小. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 12:59:34导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T04:59:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3605.pdf: 673971 bytes, checksum: 2b269fec8bbb58c4a4bb2f033e97bb0f (MD5) Previous issue date: 2009 国家自然科学基金 通辽职业学院,生物化工系;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李文生;孙宝权.InAs 单量子点精细结构光谱,发光学报,2009,30(6):812-817 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
