几种硫属化合物半导体的电化学与光电化学研究

本文分别用恒电位电沉积和恒电位脉冲电沉积技术在ITO基底上成功地沉积出表面平滑均匀、与基底附着牢固、具有一定光活性的CdS多晶薄膜。系统地考察了CdS薄膜的电性质、光性质及光电化学行为。用电沉积技术在不同基底（Ni、Ti、ITO）上成功地实现了Hg_(1-X)Cd_xTe(MCT)的三元共沉积。初步组装了P-Hg_(1-X)Cd_xTe/n-CdS异质结PV池。研究了层状结构材料n-InSe的PEC行为并考察了多种单晶材料，诸如CdS、CdTe、CdSe、InSe等的光阳极特性和界面行为。