Cu 电化学溶解与阻蚀的交流阻抗研究液/液界面离子传输的促进与抑制


Autoria(s): 蔡振时
Data(s)

1993

Resumo

1. 对恒定电位下,不同浓度的 Cl~- 介质中 Cu 的电化学溶解行为用交流阻抗方法进行了充分表征,通过对这些阻抗图谱的解析处理,结合扫描显微镜(SEM)照片,提出了 Cu 的溶解机理。所得结果与文献用其他方法一致。2. H_2SO_4 介质中,测得不同浓度,不同电位下 Cu 的电化学溶解过程的交流阻抗图谱,对所得各种情形下的图谱进行了详细解析,提出了溶解的机理。3. KCl 介质中,还探讨了异硫氰酸苯酯(C_6H_5NCS)的吸附对 Cu 电化学溶解行为的影响,获得了阻蚀行为的特征阻抗图谱。4. 分析阻抗 Bode 图时,发现表面膜或覆盖层的存在与电容和阻抗 Bode 图上的突跃有一定的关联。文献尚未见这方面的有关报道。

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/35483

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/96734

Idioma(s)

中文

Fonte

Cu 电化学溶解与阻蚀的交流阻抗研究液/液界面离子传输的促进与抑制.蔡振时[d].中国科学院长春应用化学研究所,1993.20-25

Tipo

学位论文