OTFTs中M-S接触效应的研究

有机薄膜晶体管(OTFTs)中金属(M)－有机(S)间的高接触电阻严重影响器件性能，如何改善OTFTs的M-S接触性质成为有机电子学领域的重要挑战。本论文的主要内容如下： 首先，成功制备了高精度的OTFTs器件，利用TLM法提取了接触电阻，对器件的迁移率进行了接触电阻的修正，发现了线性区迁移率低于饱和区迁移率的原因。 其次，我们发现有机异质结界面的高电导特性是比较普遍的现象，可以利用有机异质结作电接触材料改善M-S间的接触性质。 最后，利用有机异质结电接触材料作缓冲层改善了OTFTs的接触性质。通过研究不同结构的器件对器件性质的优化提出了建设性的意见。 综上所述，本论文对金属电极－有机层间的接触性质进行了深入的研究, 并利用有机异质结作电接触材料改进有机晶体管的M-S接触性质。当前的研究为提高有机电子器件的M-S接触性质提供了新思路，促进了有机电子学的发展。