低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响

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Autoria(s): 吴雷学; 汪韬; 王警卫; 李晓婷; 景争; 尹飞; 梅书刚

Data(s)	2009
Identificador	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/8240 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/73507
Idioma(s)	中文
Fonte	吴雷学, 汪韬, 王警卫, 李晓婷, 景争, 尹飞, 梅书刚.低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响.光子学报,2009,38(8):1937-1940
Palavras-Chave	#电子、电信技术::红外技术及仪器
Tipo	期刊论文