生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响

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Autoria(s): 汪韬; 李宝霞; 李晓婷; 赛小锋; 高鸿楷

Data(s)	2002
Identificador	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/5730 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/73425
Fonte	汪韬；李宝霞；李晓婷；赛小锋；高鸿楷.生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响,光子学报,2002,31(12):1479-1482
Palavras-Chave	#光学
Tipo	期刊论文