负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响

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Autoria(s): 张同意; 石顺祥; 赵卫; 龚仁喜; 孙艳玲

Data(s)	2002
Identificador	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/7170 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/70735
Fonte	张同意；石顺祥；赵卫；龚仁喜；孙艳玲.负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响,光子学报,2002,31(4):445-449
Palavras-Chave	#光学
Tipo	期刊论文