GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究

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Autoria(s): 阮驰; 赵卫; 陈国夫; 朱少岚; 杨宏春; 阮成礼

Data(s)	2007
Identificador	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/7070 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/70685
Fonte	阮驰；赵卫；陈国夫；朱少岚；杨宏春；阮成礼.GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究,光子学报,2007,36(3):405-411
Palavras-Chave	#半导体材料
Tipo	期刊论文