6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
采用非抛物性能带模型，对6H-SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究．研究表明：温度为296 K时，电子横向漂移速度在电场为2．0×104 V／cm处偏离线性区，5．O×10~5V／cm处达到饱和．由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为1．95×10~7cm／s，纵向为6．0×10~6cm／s，各向异性较为显著．当电场小于1．0×10~6 V／cm时，碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小．另一方面，高场下电子平均能量的各向异性非常明显．电场大于2．O×10~5V／cm时，极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大．当电场一定时，c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大．对非稳态高场输运特性的分析表明：阶跃电场强度为1．0×10~6 V／cm时，电子横向瞬态速度峰值接近3．O×10~7cm／s，反应时间仅为百分之几皮秒量级． |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王平; 周津慧; 杨银堂; 屈汉章; 杨燕; 付俊兴.6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究,光子学报,2004,33(3):322-325 |
| Palavras-Chave | #6H-SiC |
| Tipo |
期刊论文 |
