InGaN薄膜材料的MOCVD生长及物性研究
| Contribuinte(s) |
刘祥林 朱勤生 |
|---|---|
| Data(s) |
2010
|
| Resumo |
Submitted by 阎军 (yanj@red.semi.ac.cn) on 2010-06-07T01:04:23Z No. of bitstreams: 1 郭严博士论文.pdf: 26872311 bytes, checksum: 3c26f92ff401022162e7b6407ef6a1ae (MD5) Submitted by 阎军 (yanj@red.semi.ac.cn) on 2010-06-07T01:04:23Z No. of bitstreams: 1 郭严博士论文.pdf: 26872311 bytes, checksum: 3c26f92ff401022162e7b6407ef6a1ae (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郭严.InGaN á MOCVD) 9Ô5ïÄ[博士].北京.中国科学院研究生院.2010 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
学位论文 |
