一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
一种制备具有纳米折叠有源区结构外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:先制备AlxInyGazN材料模版，其中x+y+z＝1，0≤x，y，z≤1;步骤2:利用纳米加工技术，在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN纳米柱阵列，该AlInGaN纳米柱阵列包括多个AlInGaN纳米柱;步骤3:在AlInGaN纳米柱阵列、AlInGaN纳米柱和AlInGaN材料模版的上表面生长具有纳米折叠结构的有源区层;步骤4:在具有纳米折叠结构的有源区层上生长带有纳米孔阵列的p型GaN层，该p型GaN层填满AlInGaN纳米柱阵列的缝隙，完成外延片的制作。 一种制备具有纳米折叠有源区结构外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:先制备AlxInyGazN材料模版，其中x+y+z＝1，0≤x，y，z≤1;步骤2:利用纳米加工技术，在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN纳米柱阵列，该AlInGaN纳米柱阵列包括多个AlInGaN纳米柱;步骤3:在AlInGaN纳米柱阵列、AlInGaN纳米柱和AlInGaN材料模版的上表面生长具有纳米折叠结构的有源区层;步骤4:在具有纳米折叠结构的有源区层上生长带有纳米孔阵列的p型GaN层，该p型GaN层填满AlInGaN纳米柱阵列的缝隙，完成外延片的制作。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3598.pdf: 847066 bytes, checksum: c0d26dfa8429ce3bded90c3dde490daa (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
朱建军 ,一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法,CN200810113324.0 ,2008-05-28 |
| Tipo |
专利 |
