用于半导体器件中的取样光栅的制作方法

一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层，得到含有半导体波导结构的芯片;步骤2:在上波导层的上面，均匀地涂上一层光刻胶;步骤3:对涂有光刻胶的芯片进行全息曝光，使光刻胶上印制出条状的光栅轮廓;步骤4:将芯片置于取样周期光刻版之下进行二次曝光，二次曝光后对芯片上的光刻胶显影，使光刻胶形成有光栅轮廓的胶条;步骤5:对显影好的芯片，进行离子刻蚀，在上波导层上得到光栅;步骤6:用腐蚀液修整光栅形貌，完成取样光栅的制作。本发明具有成本低、适于大规模生产的优点。

一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层，得到含有半导体波导结构的芯片;步骤2:在上波导层的上面，均匀地涂上一层光刻胶;步骤3:对涂有光刻胶的芯片进行全息曝光，使光刻胶上印制出条状的光栅轮廓;步骤4:将芯片置于取样周期光刻版之下进行二次曝光，二次曝光后对芯片上的光刻胶显影，使光刻胶形成有光栅轮廓的胶条;步骤5:对显影好的芯片，进行离子刻蚀，在上波导层上得到光栅;步骤6:用腐蚀液修整光栅形貌，完成取样光栅的制作。本发明具有成本低、适于大规模生产的优点。

于AD批量导入至AEzhangdi

Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3595.pdf: 378617 bytes, checksum: 367bf4f85202d48e72b912a36490652e (MD5)