折射面入光探测器的制作方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤:步骤1:在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构;步骤2:在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触;步骤3:在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构;步骤4:在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2层;步骤5:在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层，形成条形掩模图形结构;步骤6:在掩膜图形结构上，采用化学腐蚀的方法，向下腐蚀出燕尾槽;步骤7:腐蚀掉器件表面的第一SiO2层，重新在整个器件的表面生长第二SiO2层;步骤8:在燕尾槽中填入聚合物，使得材料表面平整;腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层;步骤9:在探测器台面结构的一侧制作p型金属电极;步骤10:将衬底减薄，在衬底的背面制作金属电极;步骤11:清除掉燕尾槽中的聚合物，解理芯片，完成整个器件的制作。 一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤:步骤1:在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构;步骤2:在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触;步骤3:在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构;步骤4:在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2层;步骤5:在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层，形成条形掩模图形结构;步骤6:在掩膜图形结构上，采用化学腐蚀的方法，向下腐蚀出燕尾槽;步骤7:腐蚀掉器件表面的第一SiO2层，重新在整个器件的表面生长第二SiO2层;步骤8:在燕尾槽中填入聚合物，使得材料表面平整;腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层;步骤9:在探测器台面结构的一侧制作p型金属电极;步骤10:将衬底减薄，在衬底的背面制作金属电极;步骤11:清除掉燕尾槽中的聚合物，解理芯片，完成整个器件的制作。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3591.pdf: 647993 bytes, checksum: 028170543f402e64249401debef7348c (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
廖栽宜;张云霄;周 帆;赵玲娟;王 圩 ,折射面入光探测器的制作方法,CN200810115183.6 ,2008-06-18 |
| Tipo |
专利 |
