倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法
| Contribuinte(s) |
汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 中国科学院半导体研究所 |
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| Data(s) |
12/08/2010
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| Resumo |
一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括:在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层;在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜;将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构;湿法腐蚀掉部分深脊结构，形成入射窗口区;在深脊结构的两侧采用带胶剥离的方法制作N型金属欧姆接触;将衬底上至N型金属欧姆接触外侧边缘以外的各层刻蚀掉;保留入射窗口区一侧的各层，在衬底上形成台面结构;在深脊结构的上面经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的信号电极;在深脊结构两侧的N型金属欧姆接触上经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的接地电极;减薄解理。 一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括:在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层;在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜;将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构;湿法腐蚀掉部分深脊结构，形成入射窗口区;在深脊结构的两侧采用带胶剥离的方法制作N型金属欧姆接触;将衬底上至N型金属欧姆接触外侧边缘以外的各层刻蚀掉;保留入射窗口区一侧的各层，在衬底上形成台面结构;在深脊结构的上面经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的信号电极;在深脊结构两侧的N型金属欧姆接触上经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的接地电极;减薄解理。 于AD批量导入至AEzhangdi Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3587.pdf: 714505 bytes, checksum: fadd3a72c4f32b933c4dcb1bd210ed80 (MD5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张云霄;廖栽宜;赵玲娟;朱洪亮;潘教青;王 圩 ,倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法,CN200810115627.6 ,2008-06-25 |
| Tipo |
专利 |
